لایه میانی گیت اکسید دی الکتریک در نانو ترازیستورهای اثر میدانی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
- author مریم سوزبان
- adviser علی بهاری جمیل آریایی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1387
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
بررسی نانو لایه های دی اکسید تیتانیوم آلاییده با نیتروژن
در این تحقیق اثر افزایش آلایش نیتروژن در نانو لایه های TiO2 را روی خواص آبدوستی بررسی کردیم. نمونه‌ها به روش افشانه داغ تهیه شد. زمان باز‌پخت نمونه‌ها که نقش مهمی در ساختار نهایی نانو لایه‌ها دارد، 450 درجه سانتیگراد بود. مشاهده شد که خاصیت آبدوستی نمونه‌ها تحت نور فرابنفش، با افزایش درصد نیتروژن، افزایش می‌یابد. آبدوستی چهار نمونه آلاییده ت...
full textمطالعه خواص نوری یک نانو ذره پلاسمونیک روی یک لایه دی الکتریک
با مطالعه قطبش پذیری یک نانو ذره ی فلزی کروی برروی یک لایه ی دی الکتریک، خواص نوری سیستم بررسی می شود. از آنجا که اندازه نانوذره خیلی کوچکتر از طول موج نور فرودی است، با حل معادله لاپلاس، پتانسیل الکتریکی در نواحی مختلف برحسب چندقطبیها بسط داده می شود. با استفاده از تانسور قطبش پذیری، عباراتی برای قطبش‌پذیری های موازی و عمود بدست آمده و سپس نتایج عددی مورد بحث قرار می گیرند. علاوه بر اثر انداز...
full textمشخصه های وابسته به دمای نانو گیت دی الکتریک هافنیوم اکسید در سیلیکون اکسید
در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...
مطالعه اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر تابع دی الکتریک نانو لایه های نیمرسانا
در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد وهمچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنشهای کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد که با وجودی که رفتار...
full textنانو کامپوزیت هیبریدی nio/pvc و nio/pva؛ گیت دی الکتریک ترانزیستور های اثر میدانی آلی (ofets )
در کار حاضر، نانو هیبریدهای کامپوزیتی پلی وینیل الکل/ اکسید نیکل و پلی وینیل کلرید/ اکسید نیکل با مقادیر متفاوت پی وی سی(pvc) و پی وی ای (pva)و در دماهای مختلف به روش سل- ژل سنتز شده اند. فازهای بلوری، بلورینگی و ویژیگی های الکتریکی نمونه ها با استفاده از تکنیک های میکروسکوپی روبشی الکترونی (sem)، نیروی اتمی (afm)، طیف نمایی فوریه مادون قرمز (ftir)، توزیع انرژی پرتو ایکس (edx) و الگوی پرتو ایکس...
My Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023